项目展示
Project presentation
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IC产业园
项目位于高新西区,成灌高速和天润路交叉口西南角。净用地面积86亩,规划总建筑面积22.5万㎡,其中地上建筑面积约17.4万㎡,地下建筑面积约5.1万㎡,容积率3.0,绿地率20%。建筑在形体设计上提取了电路中常见的处理器矩形倒圆角形状,并在建筑立面上引入抽象自集成电路线路的折线变化形态,营造科技感、未来感,以求创造一个全新的高科技园区,为西区树立门户地标。园区功能以办公为主,共10栋单体建筑,地下设一层地下室,在裙房部分设置商业与会议中心,将公共服务平台设置在中心,为办公人群提供舒适宜人的休憩空间。